LCOS-SLMに関する特性

光利用効率

定義

1 Vから最大電圧値(Vhigh)の印加電圧で駆動した場合の反射光量の平均値(Iave)を求めます。その値の入射光量(Ipow)に対する割合を光利用効率と定義します。

光利用効率 = Iave / Ipow [%]

測定方法

図のような、入射光の偏光方向と液晶分子の配向方向を一致させた位相変調光学系において、1 Vから最大電圧値の範囲を128分割した印加電圧ごとの反射光量を測定します。入射角度(θ)は10度以内、アパーチャサイズはφ6 mmに設定します。

光利用効率の測定系

測定結果

各ラインアップの光利用効率の平均値を表に示します。対応波長範囲が広い、広波長帯域タイプでは、複数の光源にて測定を行いました。特定波長向けタイプでは95 %以上の光利用効率を実現し、広波長帯域タイプでは76 %〜86 %の光利用効率を実現しています。光量ロスの主な要因は、画素構造に起因する回折光の発生、液晶層での散乱、透明電極での吸収などです。

光利用効率の評価結果(平均値)

型名

広波長帯域タイプ

特定波長向けタイプ 

-01

-07

-08

-02

-03B

-05

-12

-13

-15

-16

-19

光源の波長(nm)

633

1064

1550

785

1064

405

940

532

1550

532

1950

光利用効率(%)

76

80

86

97

97

97

97

97

97

97

97

型名

高出力レーザ向けタイプ 

レーザ金属加工向けタイプ 

-02L/-02R

-03BL/-03BR

-12L/-12R

-15L/-15R

-16L/-16R

-19L/-19R

-03CL/-03CR

光源の波長(nm)

785

1064

940

1550

532

1950

1064

光利用効率(%)

97

97 97 97 97 97 97

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